應(yīng)用：磷化銦是第二代半導(dǎo)體材料，廣泛應(yīng)用于光通信、集成電路等領(lǐng)域。5G 時(shí)代技術(shù)革 新帶來(lái)以磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導(dǎo)體材料的蓬勃發(fā)展。磷化銦（InP）是一種 III~V 族化合物，閃鋅礦型 晶體結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)為 5.87×10-10 m，禁帶寬度為 1.34 eV，常溫下遷移率為 3000~4500 cm2 /(V.S)。InP 晶體具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)、導(dǎo)熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率 高等諸多優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于光通信、高頻毫米波器件、光電集成電路和外層空間用太陽(yáng) 電池等領(lǐng)域。未來(lái)組件需求將以高速、高頻與高功率等特性，鏈接 5G 通訊、車用電子與 光通訊領(lǐng)域的應(yīng)用，第二、三代化合物半導(dǎo)體有望突破硅半導(dǎo)體摩爾定律。