主要用于制備族化合物半導(dǎo)體,高純合金,電子致冷元件,熱電轉(zhuǎn)換元件以及原子反應(yīng)堆中液態(tài)冷卻載體等。
鉍(Bi) Bismuth
技術(shù)對接: 電解–區(qū)域熔煉
檢驗:ICP-MS;激光粒度分析儀,掃描電鏡。
服務(wù):提供實用的防護(hù)措施,提供材料應(yīng)用解決方案。
4、用途:
主要用于制備族化合物半導(dǎo)體,高純合金,電子致冷元件,熱電轉(zhuǎn)換元件以及原子反應(yīng)堆中液態(tài)冷卻載體等。
5、包裝:滌綸薄膜包裝后塑料薄膜真空封裝。
1、物理性質(zhì):
原子量:208.98040
電負(fù)性:1.9
密度:9.78 g/cm3
熔點:271.50 ℃
沸點:1564 ℃
2、規(guī)格:
化學(xué)純度:
高純鉍:Bi-05 純度99.999%以上,銀,鋁,砷,金,鎘,鉻,銅,鐵,鎂,鎳,鉛,錫,鋅雜質(zhì)總含量小于10ppm;
超純鉍:Bi-06 純度99.9999%以上,銀,鋁,砷,金,鎘,銅,鐵,鎂,鎳,鉛,鋅雜質(zhì)總含量小于1ppm。
3、物理性狀:錠,粉,丸,粒,針狀等。